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Microsemi Corporation APT10M11B2VFRG

Name: APT10M11B2VFRG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT10M11B2VFRG
Availability: InStock
Rating: 4.8 (213 reviews)

Número de pieza de MFG: APT10M11B2VFRG

Cantidad disponible: 21680 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Microsemi Corporation

Breve descripción: POWER MOS V® MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: APT10M11B2VFRG.pdf

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APT10M11B2VFRG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	APT10M11B2VFRG
Número de parte futuro	FT-APT10M11B2VFRG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS V®
APT10M11B2VFRG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	450nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	10300pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	T-MAX™
Paquete / Caja	TO-247-3 Variant
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT10M11B2VFRG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	APT10M11B2VFRG-FT

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