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APT10035B2LLG Image

Microsemi Corporation APT10035B2LLG

Número de pieza de MFG
APT10035B2LLG
Cantidad disponible
73140 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
POWER MOS 7® MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-APT10035B2LLG
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 7®
APT10035B2LLG Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 28A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5185pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 690W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja TO-247-3 Variant
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT10035B2LLG Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APT10035B2LLG-FT

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