casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT10035B2LLG
Número de pieza del fabricante | APT10035B2LLG |
---|---|
Número de parte futuro | FT-APT10035B2LLG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT10035B2LLG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 28A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5185pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 690W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | T-MAX™ [B2] |
Paquete / Caja | TO-247-3 Variant |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT10035B2LLG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT10035B2LLG-FT |
APT40M70LVFRG
Microsemi Corporation
APT41M80L
Microsemi Corporation
APT60M75L2FLLG
Microsemi Corporation
APT60M75L2LLG
Microsemi Corporation
APT60M80L2VRG
Microsemi Corporation
APT8024LLLG
Microsemi Corporation
APT8024LVRG
Microsemi Corporation
APT84F50L
Microsemi Corporation
APT7M120B
Microsemi Corporation
APT60N60BCSG
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel