casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AOW298
Número de pieza del fabricante | AOW298 |
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Número de parte futuro | FT-AOW298 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOW298 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Ta), 58A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1670pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.1W (Ta), 100W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-262 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW298 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AOW298-FT |
ZVN4424GTC
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ZVN4525GTC
Diodes Incorporated
ZVNL110GTC
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ZVP2110GTC
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Diodes Incorporated
ZVP4525GTC
Diodes Incorporated
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M7A3P1000-1FGG256I
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AGLP060V5-CS289
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