casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AOW292
Número de pieza del fabricante | AOW292 |
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Número de parte futuro | FT-AOW292 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOW292 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14.5A (Ta), 105A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 126nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6775pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.9W (Ta), 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-262 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW292 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AOW292-FT |
ZXMP10A17GQTC
Diodes Incorporated
ZXMP4A16GQTA
Diodes Incorporated
ZXMP4A16GQTC
Diodes Incorporated
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ZVN4210GTC
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
XC6SLX100T-N3FG900C
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M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
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EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel