casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AOW12N60
Número de pieza del fabricante | AOW12N60 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AOW12N60 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOW12N60 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2100pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 278W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-262 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW12N60 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AOW12N60-FT |
ZXMN0545G4TA
Diodes Incorporated
ZXMN6A09GTA
Diodes Incorporated
ZXMN6A25GTA
Diodes Incorporated
ZXMN6A08GQTC
Diodes Incorporated
ZXMP10A17GQTA
Diodes Incorporated
ZXMP10A17GQTC
Diodes Incorporated
ZXMP4A16GQTA
Diodes Incorporated
ZXMP4A16GQTC
Diodes Incorporated
ZVN0545GTC
Diodes Incorporated
ZVN2106GTC
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel