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AOT11S65L Image

Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT11S65L

Número de pieza de MFG
AOT11S65L
Cantidad disponible
39470 Piezas
Precio de referencia
USD 0.9248
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Fecha de envío
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fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Breve descripción
aMOS™ MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-AOT11S65L
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie aMOS™
AOT11S65L Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 399 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 646pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 198W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AOT11S65L Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto AOT11S65L-FT

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