casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / AOSD62666E
Número de pieza del fabricante | AOSD62666E |
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Número de parte futuro | FT-AOSD62666E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOSD62666E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.5A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 755pF @ 30V |
Potencia - max | 2.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOSD62666E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AOSD62666E-FT |
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