casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AON6366E
Número de pieza del fabricante | AON6366E |
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Número de parte futuro | FT-AON6366E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | AlphaMOS |
AON6366E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 34A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3020pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 46W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN-EP (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerSMD, Flat Leads |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6366E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AON6366E-FT |
2N7002 TR
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CMPDM7002AHC TR
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CMPDM7002AG TR
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AOW11N60
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XC2V8000-4FFG1152C
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LFXP2-30E-5FT256C
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