casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AON1610
Número de pieza del fabricante | AON1610 |
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Número de parte futuro | FT-AON1610 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON1610 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 748pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DFN (1.6x1.6) |
Paquete / Caja | 6-PowerUFDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON1610 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AON1610-FT |
DMN2400UFD-7
Diodes Incorporated
DMP21D6UFD-7
Diodes Incorporated
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M2GL025T-1VFG256I
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