casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AOD4C60
Número de pieza del fabricante | AOD4C60 |
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Número de parte futuro | FT-AOD4C60 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOD4C60 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 910pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -50°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOD4C60 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AOD4C60-FT |
AOT11N60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOT12N60
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AOT12N65
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AOT20C60L
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AOT20C60PL
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AOT210L
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AOT2608L
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EP3SL200H780I4L
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Lattice Semiconductor Corporation
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