casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / AO4612
Número de pieza del fabricante | AO4612 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AO4612 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO4612 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A, 3.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 540pF @ 30V |
Potencia - max | 2W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO4612 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AO4612-FT |
BSS8402DW-7
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XC7K70T-2FBG676C
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Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
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XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
Intel