casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AO3419L_101
Número de pieza del fabricante | AO3419L_101 |
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Número de parte futuro | FT-AO3419L_101 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO3419L_101 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 620pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.4W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3419L_101 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AO3419L_101-FT |
2SK3353-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3367(01)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377(0)-Z-E2-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377-Z-E2-AZ
Renesas Electronics America
2SK3385(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3386(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3388(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3402(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel