casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AO3419_101
Número de pieza del fabricante | AO3419_101 |
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Número de parte futuro | FT-AO3419_101 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO3419_101 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3419_101 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AO3419_101-FT |
2SK3367(01)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377(0)-Z-E2-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377-Z-E2-AZ
Renesas Electronics America
2SK3385(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3386(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3388(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3402(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3403(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel