casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores magnéticos - Lineales, Brújula (IC) / ALS31300EEJASR-1000
Número de pieza del fabricante | ALS31300EEJASR-1000 |
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Número de parte futuro | FT-ALS31300EEJASR-1000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ALS31300EEJASR-1000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tecnología | Hall Effect |
Eje | X, Y, Z |
Tipo de salida | I²C |
Rango de detección | - |
Suministro de voltaje | 2.65V ~ 3.5V |
Corriente - Suministro (Máx.) | 6.7mA |
Corriente - Salida (Max) | - |
Resolución | 12 b |
Ancho de banda | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Caracteristicas | - |
Paquete / Caja | 10-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ALS31300EEJASR-1000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ALS31300EEJASR-1000-FT |
TLE493DW2B6A3HTSA1
Infineon Technologies
TLE4929CXAFM28HAMA1
Infineon Technologies
TLE4929CXANM28HAMA1
Infineon Technologies
SS495A-T2
Honeywell Sensing and Productivity Solutions
SS495A1-T3
Honeywell Sensing and Productivity Solutions
SS39ET
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AH8501-FDC-7
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AH8502-FDC-7
Diodes Incorporated
AH8503-FDC-7
Diodes Incorporated
ZMY20TC
Diodes Incorporated
XC4005E-4PQ208C
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M2GL010TS-VFG256I
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P1AFS1500-2FG256I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
XC5VLX110-1FF1760C
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XCS30-3BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
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A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
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EP20K100QC208-3N
Intel