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Número de pieza del fabricante | AL12A08N0JTR |
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Número de parte futuro | FT-AL12A08N0JTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | AL |
AL12A08N0JTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Air |
Inductancia | 8nH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 4A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 2.6 mOhm Max |
Q @ Freq | 140 @ 150MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 5GHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 150MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.145" L x 0.120" W (3.68mm x 3.05mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.125" (3.18mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AL12A08N0JTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AL12A08N0JTR-FT |
6000-222K-RC
Bourns Inc.
6000-330K-TR-RC
Bourns Inc.
6000-390K-RC
Bourns Inc.
6000-391K-RC
Bourns Inc.
6000-472K-TR-RC
Bourns Inc.
6000-473K-RC
Bourns Inc.
6000-561K-RC
Bourns Inc.
6000-6R8M-RC
Bourns Inc.
6000-820K-RC
Bourns Inc.
08341
Bourns Inc.
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel