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Número de pieza del fabricante | AIRD-02-1R5M |
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Número de parte futuro | FT-AIRD-02-1R5M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | AIRD-02 |
AIRD-02-1R5M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1.5µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 11.4A |
Corriente - Saturación | 83A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Vertical Cylinder |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.827" Dia (21.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.827" (21.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AIRD-02-1R5M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AIRD-02-1R5M-FT |
AIUR-08-151K
Abracon LLC
AIUR-08-180K
Abracon LLC
AIUR-08-181K
Abracon LLC
AIUR-08-220K
Abracon LLC
AIUR-08-221K
Abracon LLC
AIUR-08-270K
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AIUR-08-390K
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AIUR-08-471K
Abracon LLC
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel