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A2T18S262W12NR3 Image

NXP USA Inc. A2T18S262W12NR3

Número de pieza de MFG
A2T18S262W12NR3
Cantidad disponible
53360 Piezas
Precio de referencia
USD 54.140352
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Fecha de envío
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fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
- AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
A2T18S262W12NR3.pdf
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Número de pieza del fabricante A2T18S262W12NR3
Número de parte futuro FT-A2T18S262W12NR3
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
A2T18S262W12NR3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor LDMOS
Frecuencia 1.805GHz ~ 1.88GHz
Ganancia 19.3dB
Voltaje - prueba 28V
Valoración actual 10µA
Figura de ruido -
Corriente - Prueba 1.6A
Salida de potencia 231W
Tensión nominal 65V
Paquete / Caja OM-880X-2L2L
Paquete del dispositivo del proveedor OM-880X-2L2L
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2T18S262W12NR3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto A2T18S262W12NR3-FT

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