casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / A2C50S65M2
Número de pieza del fabricante | A2C50S65M2 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-A2C50S65M2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
A2C50S65M2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Three Phase Inverter with Brake |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 650V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 50A |
Potencia - max | 208W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 4150pF @ 25V |
Entrada | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | ACEPACK™ 2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A2C50S65M2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | A2C50S65M2-FT |
IXGN400N60B3
IXYS
IXXN200N60B3
IXYS
IXYN100N65A3
IXYS
IXYN120N120C3
IXYS
NXH80B120H2Q0SG
ON Semiconductor
IFF600B12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
DF300R07PE4B6BOSA1
Infineon Technologies
F3L200R07PE4BOSA1
Infineon Technologies
FD300R07PE4B6BOSA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152C4
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S1F45I1SG
Intel
EP20K1000CB652C9N
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EPF10K30AQC240-2N
Intel