Número de pieza del fabricante | 8EWS16S |
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Número de parte futuro | FT-8EWS16S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
8EWS16S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 8A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 1600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
8EWS16S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 8EWS16S-FT |
V20PW15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW45HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW60-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW60HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PWM10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PWM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PWM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PWM12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel