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Número de pieza del fabricante | 79FR82M-TR-RC |
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Número de parte futuro | FT-79FR82M-TR-RC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 79F |
79FR82M-TR-RC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 820nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 290mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 740 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 25MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 150MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.100" Dia x 0.160" L (2.54mm x 4.06mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
79FR82M-TR-RC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 79FR82M-TR-RC-FT |
8250-223K-RC
Bourns Inc.
8250-103K-RC
Bourns Inc.
8230-94-RC
Bourns Inc.
8230-94
Bourns Inc.
8230-92-RC
Bourns Inc.
8230-92
Bourns Inc.
8230-90-RC
Bourns Inc.
8230-90
Bourns Inc.
8230-88-RC
Bourns Inc.
8230-88
Bourns Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation