casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V67603S150BGGI8
Número de pieza del fabricante | 71V67603S150BGGI8 |
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Número de parte futuro | FT-71V67603S150BGGI8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V67603S150BGGI8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous |
Tamaño de la memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frecuencia de reloj | 150MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 3.8ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.135V ~ 3.465V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 119-BGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 119-PBGA (14x22) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V67603S150BGGI8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V67603S150BGGI8-FT |
71V35761SA183BGGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA183BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA183BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA183BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA200BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA200BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA200BGG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA200BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3577S75BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3577S75BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel