casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V67603S133BQ
Número de pieza del fabricante | 71V67603S133BQ |
---|---|
Número de parte futuro | FT-71V67603S133BQ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V67603S133BQ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous |
Tamaño de la memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 4.2ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.135V ~ 3.465V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-CABGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V67603S133BQ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V67603S133BQ-FT |
IS61NLP102418B-200B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LPS51236B-200B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
71V3556SA100BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc