casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V416L12BE
Número de pieza del fabricante | 71V416L12BE |
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Número de parte futuro | FT-71V416L12BE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V416L12BE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-CABGA (9x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416L12BE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V416L12BE-FT |
70V24L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24S15J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24S15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24S20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24S20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel