casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 7164S35DB
Número de pieza del fabricante | 7164S35DB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-7164S35DB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7164S35DB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-CerDip |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164S35DB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 7164S35DB-FT |
IDT71256SA20PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel