casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 7164S20TDB
Número de pieza del fabricante | 7164S20TDB |
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Número de parte futuro | FT-7164S20TDB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7164S20TDB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 20ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164S20TDB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 7164S20TDB-FT |
SM662PXB-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662PXB-BDS
Silicon Motion, Inc.
SM662PXC-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662PXC-BDS
Silicon Motion, Inc.
SM662PXD-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662PXD-BDS
Silicon Motion, Inc.
SM662PXE-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662QXC-ACS
Silicon Motion, Inc.
SM667GX2-AC
Silicon Motion, Inc.
SM667GX4-AC
Silicon Motion, Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel