casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 7164L35DB
Número de pieza del fabricante | 7164L35DB |
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Número de parte futuro | FT-7164L35DB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7164L35DB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-CerDip |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164L35DB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 7164L35DB-FT |
71V256SA20PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA20PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA15PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc