casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71256S45DB
Número de pieza del fabricante | 71256S45DB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-71256S45DB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71256S45DB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-CerDip |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71256S45DB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71256S45DB-FT |
71256SA25PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA20PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA20PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA15PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel