casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71256S35DB
Número de pieza del fabricante | 71256S35DB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-71256S35DB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71256S35DB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-CerDip |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71256S35DB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71256S35DB-FT |
IDT71256SA20PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel