casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71124S20YG
Número de pieza del fabricante | 71124S20YG |
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Número de parte futuro | FT-71124S20YG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71124S20YG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 20ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71124S20YG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71124S20YG-FT |
71V124SA12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124HSA10PH
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124HSA10PH8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124HSA12PH
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124HSA12PH8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel