casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71016S20YG
Número de pieza del fabricante | 71016S20YG |
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Número de parte futuro | FT-71016S20YG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71016S20YG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 1Mb (64K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 20ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71016S20YG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71016S20YG-FT |
70V26S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation