casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70V659S10DR
Número de pieza del fabricante | 70V659S10DR |
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Número de parte futuro | FT-70V659S10DR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V659S10DR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 208-BFQFP |
Paquete del dispositivo del proveedor | 208-PQFP (28x28) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V659S10DR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70V659S10DR-FT |
70V659S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S166BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S166BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7339S133BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCV150-4FG256C
Xilinx Inc.
XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC4013-5PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1VFG400
Microsemi Corporation
EP2C35U484C8
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
EP4SGX290KF40I3
Intel
A40MX04-FPLG84
Microsemi Corporation
10AX032E2F27E1HG
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel