casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70V659S10DR
Número de pieza del fabricante | 70V659S10DR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-70V659S10DR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V659S10DR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 208-BFQFP |
Paquete del dispositivo del proveedor | 208-PQFP (28x28) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V659S10DR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70V659S10DR-FT |
70V659S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S166BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S166BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7339S133BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation