casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70V657S12DRI
Número de pieza del fabricante | 70V657S12DRI |
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Número de parte futuro | FT-70V657S12DRI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V657S12DRI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 208-BFQFP |
Paquete del dispositivo del proveedor | 208-PQFP (28x28) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V657S12DRI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70V657S12DRI-FT |
70V658S10BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel