casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70V657S12BCI
Número de pieza del fabricante | 70V657S12BCI |
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Número de parte futuro | FT-70V657S12BCI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V657S12BCI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 256-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 256-CABGA (17x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V657S12BCI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70V657S12BCI-FT |
70T3599S133BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S133BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S166BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S166BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S200BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S200BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T631S10BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T631S10BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T631S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T631S12BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel