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70V657S10DR Image

IDT, Integrated Device Technology Inc 70V657S10DR

Número de pieza de MFG
70V657S10DR
Cantidad disponible
43450 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
IDT, Integrated Device Technology Inc
Breve descripción
- IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
70V657S10DR Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria SRAM
Tecnología SRAM - Dual Port, Asynchronous
Tamaño de la memoria 1.125Mb (32K x 36)
Frecuencia de reloj -
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 10ns
Tiempo de acceso 10ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 3.15V ~ 3.45V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 208-BFQFP
Paquete del dispositivo del proveedor 208-PQFP (28x28)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
70V657S10DR Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto 70V657S10DR-FT

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