casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70V639S12BFI
Número de pieza del fabricante | 70V639S12BFI |
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Número de parte futuro | FT-70V639S12BFI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V639S12BFI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2.25Mb (128K x 18) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 208-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 208-CABGA (15x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V639S12BFI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70V639S12BFI-FT |
70V658S12BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S15BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S10BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S10BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S10BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S15BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S15BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel