casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70V3599S133DRGI
Número de pieza del fabricante | 70V3599S133DRGI |
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Número de parte futuro | FT-70V3599S133DRGI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V3599S133DRGI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Tamaño de la memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 4.2ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 208-BFQFP |
Paquete del dispositivo del proveedor | 208-PQFP (28x28) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V3599S133DRGI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70V3599S133DRGI-FT |
70V3569S5BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S6BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S6BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S5BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S5BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S6BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S6BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel