casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70V3589S133DR
Número de pieza del fabricante | 70V3589S133DR |
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Número de parte futuro | FT-70V3589S133DR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V3589S133DR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (64K x 36) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 4.2ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 208-BFQFP |
Paquete del dispositivo del proveedor | 208-PQFP (28x28) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V3589S133DR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70V3589S133DR-FT |
70V639S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S10BFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel