casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70V3579S6BCI
Número de pieza del fabricante | 70V3579S6BCI |
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Número de parte futuro | FT-70V3579S6BCI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V3579S6BCI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Tamaño de la memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 6ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 256-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 256-CABGA (17x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V3579S6BCI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70V3579S6BCI-FT |
7008L35G
IDT, Integrated Device Technology Inc
7008L55G
IDT, Integrated Device Technology Inc
7008S35G
IDT, Integrated Device Technology Inc
7008S55G
IDT, Integrated Device Technology Inc
7015L25G
IDT, Integrated Device Technology Inc
7024L17G
IDT, Integrated Device Technology Inc
7024L20FB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7024L20G
IDT, Integrated Device Technology Inc
7024L20GB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7024L25G
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation