casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70V3579S5DRI
Número de pieza del fabricante | 70V3579S5DRI |
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Número de parte futuro | FT-70V3579S5DRI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V3579S5DRI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Tamaño de la memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 208-BFQFP |
Paquete del dispositivo del proveedor | 208-PQFP (28x28) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V3579S5DRI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70V3579S5DRI-FT |
70V639S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S10BFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel