casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70V3579S4DR
Número de pieza del fabricante | 70V3579S4DR |
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Número de parte futuro | FT-70V3579S4DR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V3579S4DR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Tamaño de la memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 4.2ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 208-BFQFP |
Paquete del dispositivo del proveedor | 208-PQFP (28x28) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V3579S4DR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70V3579S4DR-FT |
70V639S10BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S10BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S10BFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4N
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29I7N
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel