casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70T651S10DR
Número de pieza del fabricante | 70T651S10DR |
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Número de parte futuro | FT-70T651S10DR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T651S10DR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.4V ~ 2.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 208-BFQFP |
Paquete del dispositivo del proveedor | 208-PQFP (28x28) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T651S10DR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70T651S10DR-FT |
70V3599S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S166BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S166BFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S10BFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation