casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70T633S10BFI8
Número de pieza del fabricante | 70T633S10BFI8 |
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Número de parte futuro | FT-70T633S10BFI8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T633S10BFI8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 9Mb (512K x 18) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.4V ~ 2.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 208-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 208-CABGA (15x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T633S10BFI8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70T633S10BFI8-FT |
70V659S12BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3339S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3339S133BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S133BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S133BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S15BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S15BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S10BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S10BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3379S5BC
IDT, Integrated Device Technology Inc