casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70T633S10BCI
Número de pieza del fabricante | 70T633S10BCI |
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Número de parte futuro | FT-70T633S10BCI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T633S10BCI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 9Mb (512K x 18) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.4V ~ 2.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 256-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 256-CABGA (17x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T633S10BCI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70T633S10BCI-FT |
7164S25YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164S25YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L35YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel