casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70T633S10BCI
Número de pieza del fabricante | 70T633S10BCI |
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Número de parte futuro | FT-70T633S10BCI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T633S10BCI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 9Mb (512K x 18) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.4V ~ 2.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 256-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 256-CABGA (17x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T633S10BCI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70T633S10BCI-FT |
7164S25YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164S25YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L35YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel