casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70T3519S133DR
Número de pieza del fabricante | 70T3519S133DR |
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Número de parte futuro | FT-70T3519S133DR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T3519S133DR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Tamaño de la memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 4.2ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.4V ~ 2.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 208-BFQFP |
Paquete del dispositivo del proveedor | 208-PQFP (28x28) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T3519S133DR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70T3519S133DR-FT |
70V3579S5BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S6BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S6BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S166BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S166BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S133BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S166BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel