casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70T3509MS133BP
Número de pieza del fabricante | 70T3509MS133BP |
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Número de parte futuro | FT-70T3509MS133BP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T3509MS133BP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Tamaño de la memoria | 36Mb (1M x 36) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 4.2ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.4V ~ 2.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 256-BGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 256-CABGA (17x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T3509MS133BP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70T3509MS133BP-FT |
IDT71256SA15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel