casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70T3509MS133BPI
Número de pieza del fabricante | 70T3509MS133BPI |
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Número de parte futuro | FT-70T3509MS133BPI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T3509MS133BPI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Tamaño de la memoria | 36Mb (1M x 36) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 4.2ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.4V ~ 2.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 256-BGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 256-CABGA (17x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T3509MS133BPI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70T3509MS133BPI-FT |
7164S25YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L35YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel