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70T3339S200BC8 Image

IDT, Integrated Device Technology Inc 70T3339S200BC8

Número de pieza de MFG
70T3339S200BC8
Cantidad disponible
60090 Piezas
Precio de referencia
USD 102.18096
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Fecha de envío
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fabricante
IDT, Integrated Device Technology Inc
Breve descripción
- IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante 70T3339S200BC8
Número de parte futuro FT-70T3339S200BC8
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
70T3339S200BC8 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria SRAM
Tecnología SRAM - Dual Port, Synchronous
Tamaño de la memoria 9Mb (512K x 18)
Frecuencia de reloj 200MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -
Tiempo de acceso 3.4ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 2.4V ~ 2.6V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 256-LBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 256-CABGA (17x17)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
70T3339S200BC8 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto 70T3339S200BC8-FT

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