casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 7027S35G
Número de pieza del fabricante | 7027S35G |
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Número de parte futuro | FT-7027S35G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7027S35G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 512Kb (32K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 108-BPGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 108-PGA (30.48x30.48) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7027S35G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 7027S35G-FT |
W25Q32JVXGIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32JWBYIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32JWSSIQ
Winbond Electronics
W25Q32JWSSIQ TR
Winbond Electronics
W25Q64FWBYIG TR
Winbond Electronics
W25Q80EWBYIG TR
Winbond Electronics
5962-8687505XA
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L17G
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L20FB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L20G
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel