casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 7027S35G
Número de pieza del fabricante | 7027S35G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-7027S35G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7027S35G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 512Kb (32K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 108-BPGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 108-PGA (30.48x30.48) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7027S35G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 7027S35G-FT |
W25Q32JVXGIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32JWBYIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32JWSSIQ
Winbond Electronics
W25Q32JWSSIQ TR
Winbond Electronics
W25Q64FWBYIG TR
Winbond Electronics
W25Q80EWBYIG TR
Winbond Electronics
5962-8687505XA
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L17G
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L20FB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L20G
IDT, Integrated Device Technology Inc
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel