casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70125S35J8
Número de pieza del fabricante | 70125S35J8 |
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Número de parte futuro | FT-70125S35J8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70125S35J8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 18Kb (2K x 9) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 52-LCC (J-Lead) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 52-PLCC (19.13x19.13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70125S35J8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70125S35J8-FT |
M58LW032D110ZA6
STMicroelectronics
M58LW032D90ZA6
STMicroelectronics
M58LW064D110ZA6
STMicroelectronics
MT29F1G08ABAEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel