casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70121S35J8
Número de pieza del fabricante | 70121S35J8 |
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Número de parte futuro | FT-70121S35J8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70121S35J8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 18Kb (2K x 9) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 52-LCC (J-Lead) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 52-PLCC (19.13x19.13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70121S35J8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70121S35J8-FT |
M34E02-FMB1TG
STMicroelectronics
M93C66-RMB6TG
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M95020-RMB6TG
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M95640-RMB6TG
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M36DR432AD10ZA6T
STMicroelectronics
M36W432T85ZA6T
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XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel